据韩联社6月22日消息，韩媒预计将在下周宣布大规模生产3纳米芯片，星预下一代3纳米芯片将建立在Gate-All-Around（GAA）技术之上。于下三星称，周宣与现有的布量FinFET工艺相比，该技术将使芯片面积减少45%，产纳同时性能提高30%，米芯功耗降低50%。韩媒

今年5月美国总统拜登访韩时参观了三星的星预平泽工厂，三星向其展示了该公司的于下3纳米芯片。

三星与在芯片制造领域保持激烈竞争。周宣全球最大的布量合约芯片制造商台积电表示，它将在今年下半年开始大规模生产3纳米芯片。产纳而此前三星表示，米芯其2纳米工艺节点正处于早期开发阶段，韩媒计划在2025年实现量产。

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